SK海力士据报考虑采用台积电3nm工艺生产HBM4E逻辑芯片 国外苹果ID 🔒点击进入购买✅ 海外各种账号 据报道，SK海力士预计将在其HBM4E核心芯片上采用10nm级第六代（1c）DRAM工艺，而逻辑芯片则采用台积电的3nm工艺。