财联社4月23日电，创达新材公告，公司拟与无锡国家高新区管委会签署工业用地投资发展监管协议，购买地块投建“年产2128吨及40000平方米半导体先进封装材料生产线项目”。项目总投资约1.1亿元，建设期1.5年，项目达产后，将年产约2128吨半导体先进封装材料及40000平方米环氧膜。
财联社4月23日电，创达新材公告，公司拟与无锡国家高新区管委会签署工业用地投资发展监管协议，购买地块投建“年产2128吨及40000平方米半导体先进封装材料生产线项目”。项目总投资约1.1亿元，建设期1.5年，项目达产后，将年产约2128吨半导体先进封装材料及40000平方米环氧膜。